分析师：中国DRAM厂商或于2027年进一步推进3D DRAM研发

AI 摘要

一句话摘要: 中国DRAM厂商或于2027年推进3D DRAM研发，产能2028年投产。 关键事实: 中国DRAM价格可与全球龙头相当但良率更低，3D DRAM开发预计2027年取得进展，合肥上海北京产能扩张2028年全面投产 涉及主体: Goldman Sachs, Citrini分析师jukan, 中国DRAM厂商 可能影响: 中国DRAM产业在3D DRAM领域的技术突破可能重塑全球存储芯片竞争格局，同时国产设备替代进程加速将降低对海外供应链依赖。 是否值得继续跟踪: 是，3D DRAM是中国存储产业弯道超车的关键路径，且产能扩张时间表明确，需关注2027-2028年技术验证和量产进展。 噪音/炒作风险: 中，该信息来自分析师转述专家电话会议，缺乏官方确认，且良率问题可能被低估，存在预期炒作成分。